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onsemi FQP47P06
| Artikelnummer: | FQP47P06 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | AMI Semiconductor/onsemi |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 60V 47A TO220-3 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $3.41 |
| 10+ | $3.063 |
| 100+ | $2.51 |
| 500+ | $2.1367 |
| 1000+ | $1.802 |
| 2000+ | $1.7119 |
| 5000+ | $1.6476 |
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onsemi FQP47P06 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments FQP47P06.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Vgs (Max) ±25V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse TO-220-3 Serie QFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 26mOhm @ 23.5A, 10V Verlustleistung (max) 160W (Tc) Verpackung / Gehäuse TO-220-3 Paket Tube Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Produkteigenschaften Eigenschaften Befestigungsart Through Hole Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 60 V Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 47A (Tc) Grundproduktnummer FQP47 FQP47P06 Einzelheiten PDF [English] FQP47P06 PDF - EN.pdf -
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